新加坡将投入8亿新元加强半导体研发，以巩固其作为全球芯片创新关键枢纽的地位。这笔资金将用于“研究、创新与企业2025计划”（RIE2025）下的半导体旗舰项目。该项目由研究、创新与企业理事会主席、国务资政李显龙于2025年12月宣布，是RIE2025计划中聚焦关键经济领域的多个旗舰项目之一。

该计划将统筹新加坡公共资助的半导体研发工作，聚焦于“新加坡已建立优势”的领域，如先进封装和先进光子学。主管能源与科技事务的人力部长陈诗龙在国会辩论时表示：“该旗舰计划将把研究成果转化为产品，鼓励更多先进研发和制造活动，为新加坡创造优质就业岗位。”

半导体仍是新加坡经济的重要支柱，贡献了近7%的国内生产总值。颜金勇指出，通过过往RIE计划的投资，新加坡已建立起强大的研发能力，并在过去四年间吸引了半导体公司超过300亿新元的投资。

陈诗龙表示，该旗舰计划还将整合国家半导体转化与创新中心（NSTIC）的各项工作。新加坡将再投入6000万新元，设立新的电力电子国家半导体转化与创新中心，专注于下一代电力电子技术。这建立在早前为氮化镓、先进光子学和研发晶圆厂设立的国家半导体转化与创新中心基础之上。

该中心将拥有一条开放式创新的8英寸碳化硅（SiC）研发中试线，旨在支持快速原型制造并实现技术向生产的无缝转移。它将向公共和私营部门用户开放，并建立产业与学术界之间的合作伙伴关系，以推动包括碳化硅和氮化镓在内的宽禁带半导体技术的商业化。

据新加坡科技研究局介绍，进军宽禁带材料领域，是因为传统的硅材料日益难以满足数据中心和高性能电动汽车等快速增长行业对高压和高温的需求。碳化硅和氮化镓能够提供更高的电压处理能力、更快的开关速度和更强的耐热性——这使得电力系统在减少能源浪费的同时变得更加紧凑。

电力电子国家半导体转化与创新中心预计将于2026年4月投入运营。

氮化镓国家半导体转化与创新中心于2023年启动，2025年开放。它将先进的氮化镓制造能力引入新加坡，服务于5G和6G通信、雷达和卫星系统等高增长市场。

与此同时，先进光子学国家半导体转化与创新中心自RIE2025计划启动以来，已在高速数据传输和超透镜制造等方面取得多项突破。该中心已吸引超过10家行业合作伙伴，并建立了强大的商业化渠道。

2025年，副总理颜金勇宣布，新加坡将投资设立另一个专注于半导体研发晶圆厂的国家半导体转化与创新中心。该中心有望在2027年前投入运营，并且企业对中心的合作空间表现出浓厚兴趣。

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